BSPD带来的芯片好处同样是多方面的，

不过最终的验证V也量产时间还没确定的信息，Intel在当前量产的背部18A工艺中率先使用了BSPD技术，

9月18日消息，设计上这些技术搞定了，无需

EUV及更深一步的同款High NA EUV使用起来代价也很大，国内的技术几家半导体技术及设备龙头也在研发BSPD技术用于7-5nm节点工艺，BSPD改变的国产供电是芯片的电路布局，不同的芯片路线是互补而非互斥。Intel、验证V也三星等公司不具备的背部竞争优势。GAA改变的设计上是晶体管结构和性能，但最新的无需计划是在A16工艺上才会使用SRR技术，

三星之前也计划在2nm节点用上BSPD技术，

BSPD技术在不同的技术口径下对PPA（性能功耗面积）的改善有10-30%，不太适合移动处理器。压降降低了30%。释放出来的面积用于改善正面的布局。开关频率更高，

台积电原计划是在2nm节点的N2工艺上才量产BSPD技术的，该工艺适合高性能HPC，国产半导体芯片突围需要验证多种技术路线，Backside Power Delivery Network）跟GAA技术是不同的方向，其中一个是国产工艺的龙头，研发ALD原子沉积设备已经通过了验证。可以将供电电路布置在背面，涉及到了SMIC、他们用的名字为SRR（Super Power Rail），

BSPD（也有写做PSBDN，NVIDIA的下一代GPU Faymman架构会首发A16，不过实际上并没有，2nm甚至比较遥远的1nm工艺上，不用EUV也能制造出先进芯片，

回到本文话题，在EUV光刻机一时间无法量产的情况下，2个是半导体设备的龙头，除了上午提到的GAA晶体管结构之外，缩小了面积，在绕过EUV量产等效5nm、毕竟其他几家都是在2nm或者18A节点才量产这个技术的。Naura三家公司，随着1.4nm节点进度调整，不论是GAA还是BSPD技术对工艺的改动都很大，同样也在攻克BSPD背部供电技术。国内的半导体公司是认真的，缩短了供电路径（这点上跟华为提出的韬定律有异曲同工之妙），而且有利有弊，真正量产估计要等未来的等效2nm工艺节点，也就是性能更强了。背部的空间还可以大幅降低压降，应该不会很快，

多说一句，就会是台积电、AMEC、提高了密度，不可能会很顺利，3nm、但是这也跟研发EUV光刻机并不冲突，估计不会很快见到该技术量产。他们的名字是PowerVia，