9月1日消息，长鑫存储据媒体报道，开始长鑫存储已正式启动HBM3E内存的试产数周风险试产，标志着其在高端高带宽内存领域迈出关键一步。内存内

目前，有望长鑫存储正积极扩大产能，规模预计到今年年底，量产DRAM月产能有望达到35万片晶圆，长鑫存储并在未来几年持续爬坡，开始以应对日益增长的试产数周AI与高性能计算需求。

据了解，内存内当前长鑫存储的有望HBM3E生产规模仍较为有限，表明该项技术尚处于风险试产早期阶段，规模距离大规模放量仍需一定时间。量产

根据JEDEC规范，长鑫存储HBM3E采用1024-bit位宽，单引脚速率范围为9.2Gbps至12.4Gbps，在典型配置9.6Gbps下，总带宽可达1.2TB/s。

堆叠方面，8层方案可提供单堆栈24GB容量，12层方案则可达36GB，为AI加速器与数据中心提供高带宽、大容量的内存支撑。

考虑到长鑫存储此前从风险试产到量产切换的速度，市场普遍预期其HBM3E有望在数周内进入大规模量产阶段。

此外，长鑫在晶圆厂洁净室建设方面亦展现出明显效率优势——建设一座洁净室仅需12个月，而业内同行通常需要两年时间。这一能力为后续产能扩张与良率爬坡提供了重要保障。