HBM难度越来越大 Intel要推XBM内存:换个方向突破AI内存墙
2026-07-07 17:43:52

总的难M内I内来说,Intel指出当前HBM内存面临的存换存墙技术挑战,HBM6,个方这个XBM内存(eXtended Bandwidth Memory)有机会让Intel重掌大权。向突XBM内存预计会比当前的难M内I内HBM4提升一倍的带宽、

传统DRAM内存中晶体管在FEOL前端中,存换存墙等过几年有产品了再看。个方公开时间是向突今年7月2日。2024年12月26日申请的难M内I内,在当前的存换存墙HBM内存中Intel话语权不高,但在技术研发下一直没拉下,个方布线复杂,向突但HBM同样面临着技术限制,难M内I内未来难以为继。存换存墙

根据这个专利,个方

XBM内存已经不是第一次露出苗头了,

最终做出来的XBM内存面积效率高,这一轮内存大涨价归因于AI需求,

7月6日消息,而不像是HBM后续标准那样继续在高频率上做文章。XBM不太可能直接取代HBM内存,结合里面提到的参数来推测,

希望用后端晶体管工艺突破AI最急迫的内存墙问题,Intel已经在研发XBM内存解决这个问题。面积效率越来越低,最新曝光的是一份编号为20260191095的专利申请,现在把它做到后端金属层中,功耗越来越高,再通过更多的TSV通道来提升总带宽。就算40年前退出了内存生产,面积效率大增,各种技术标准都少不了Intel的推动,现在说技术好不好还太早,后端动态随机存取存储器(DRAM)。

这篇专利申请没有提到XBM内存的具体指标,芯片堆栈中的每个存储芯片包含一个晶体管、一个电容(1T1C)、单论技术指标应该不占优势了。而是Intel换了个方向开辟高性能内存之路,

Intel是内存技术起价的,容量,尤其是HBM内存挤占了大量DDR/LPDDR内存,但该技术面向的至少是2030年之后的市场,

Intel提出的XBM内存方案则是带后端晶体管的超高带宽存储器,届时会有HBM5、功耗更低,包括面积被TSV侵占,

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